制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬底上 ,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为 5 0 d B/cm,损耗特性明显比前者差。测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性 ,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低。

国家 973项目《集成微光机电系统研究》(G19990 3 3 10 5 ); 国家自然科学基金 (698760 12 ); 国家杰出青年基金(69975 40 9); 上海 -应用材料研究与发展基金项目 (0 10 3 ); 上海市重点科学项目 (0 12 2 610 2 8); 上海市重点学科项目 (2 0 0 1年 )的资助;

共面波导; 插入损耗; 聚酰亚胺;

TN811

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