详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获得适中的剩余应力释放 ,微桥应力约为 10 6 N/m2 ,这为获得较低的开关驱动电压提供了可能。对长 1m m的 MEMS开关 ,当弹性膜厚为 0 .5μm,桥高为 3μm、桥宽为 30 μm、桥长为 2 50 μm时获得了 2 5V的驱动电压 ,S参数测试表明该电容式开关 1~ 4 0 GHz频段内的插入损耗低于 1d B。

国家 973项目《集成微光机电系统研究》(G19990 3 3 10 5); 国家自然科学基金 (698760 12 ); 国家杰出青年基金(6997540 9); 上海 -应用材料研究与发展基金项目 (0 10 3 ); 上海市重点学科项目 (0 12 2 610 2 8); 上海市重点学科项目 (2 0 0 1年 )的资助;

微电子机械系统; 电容式开关; 驱动电压; 铝硅弹性膜;

TN402

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