建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型。由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响 ,因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素 ,并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜 gj 的厚度减少到 5 0nm ,从而使开关的电容比增加到 380 0。最后 ,讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性

国家重点基础研究 ( 973) (No .G19990 3310 5 ); 国家杰出青年基金 (No .6 992 5 4 0 9); 上海市AM基金、上海市科技发展基金 ( 0 15 2 110 6 6 ); 上海市重点学科 (No .0 12 2 6 10 2 8)联合资助;

MEMS膜开关; 电容比; 阈值电压; 维持电压;

TM564

微波学报

Journal of Microwares

2003年01期

ISSN:1005-6122

中文核心期刊

10256-60574k
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