目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。在涂胶前,对聚酰亚胺进 行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求。光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐 蚀。显影后选择不同固化处理温度和时间,对聚酰亚胺的性质有不同的影响。MEMS开关的梁结构 完成后,聚酰亚胺需通过刻蚀的方法去除。实验结果表明,固化温度小于170℃,可采用碱性溶液湿 法腐蚀的方法去除;固化温度大于200℃,需采用O2等离子刻蚀方法。

国家973项目(G1999033105)上海市科委项目(02dz11035)上海AM基金(0201)(0301)资助项目;

聚酰亚胺; 牺牲层; 固化; 刻蚀; MEMS开关;

TM564

微电子学

Microelectronics

2005年01期

ISSN:1004-3365

中文核心期刊

3505-73585k
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