用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%。利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系。外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关。样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近。

国家自然科学基金(No.20575022); 上海市科委科技基金(No.0652nm036); 上海市科学技术委员会启明星基金(No.04QMX1422);

巨磁阻抗效应; 磁导率; 弛豫频率; 等效电路;

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