本文不同的温度下制备多孔硅。通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性。研究结果表明存在着一个制备临界温度343K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大。

Shanghai Natural Science Foundation(No.07ZR14033); Shanghai Pujiang Program(No.08PJ14043); Special Project for Nanotechology of shanghai(No.0752nm011); Applied Materials Shanghai Research & Development Fund(No.07SA12);

多孔硅; 制备温度; 光特性;

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