采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法,在硅微通道(Si-MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物,然后分别在600℃,650℃,700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP微纳薄膜阵列,并对其结构及铁电特性进行表征.研究结果显示,退火温度越高,Si-MCP内被局域化的微纳薄膜结晶颗粒尺寸越大,同时BNT/Si-MCP微纳薄膜阵列越趋向沿c轴取向,尤其在750℃下制备的薄膜具有表面形貌均匀和c轴取向程度高等优点,且剩余极化强度可达93.8μC/cm2.

国家自然科学基金(61204127); 中国博士后科学基金面上项目(2012M510898); 黑龙江普通高等学校新世纪优秀人才培养计划(1253-NECT025); 黑龙江省自然科学基金(F201332)~~;

铁电薄膜; 微纳薄膜阵列; 硅微通道板; 钕掺杂太酸铋;

TM221

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